Firma Samsung rozpoczęła masową produkcję pierwszych w branży przeznaczonych do urządzeń mobilnych, 12-gigabitowych (Gb) układów pamięci typu low-power double data rate 4 (LPDDR4), opartych na zaawansowanej technologii wykonania w procesie 20 nanometrów (nm).
Najnowsza pamięć LPDDR4 powinna znacznie przyspieszyć wprowadzenie na całym świecie pamięci DRAM o dużej pojemności przeznaczonych do urządzeń mobilnych. Pamięć 12 Gb LPDDR4 wnosi największą pojemność i najwyższą dostępną prędkość w układach DRAM, jednocześnie oferując wysoką efektywność energetyczną.
W porównaniu z poprzednią pamięcią 8 Gb LPDDR4 w klasie wykonania 20 nm wersja 12 Gb jest o ponad 30% szybsza, osiągając 4266 megabitów na sekundę (Mbps), jest także dwukrotnie szybsza od DRAM DDR4 dla komputerów PC*, choć zużywa o 20% mniej energii. Ponadto wydajność produkcji 12 Gb LPDDR4 zwiększono o ponad 50% w porównaniu do pamięci 8 Gb LPDDR4 w klasie wykonania 20 nm**, co dodatkowo podniesie zapotrzebowanie na większą pojemność pamięci w urządzeniach mobilnych wysokiej klasy.
Pamięć 12 Gb LPDDR4 umożliwia utworzenie 3- lub 6-gigabajtowych (GB) pakietów pamięci mobilnych DRAM, odpowiednio z dwoma lub czterema mikroukładami i stanowi jedyne rozwiązanie umożliwiające utworzenie pakietu 6 GB LPDDR4. We flagowych urządzeniach kolejnej generacji 6‑gigabajtowa pamięć mobilna DRAM LPDDR4 umożliwi konsumentom płynną wielozadaniowość i maksymalną wydajność w nowoczesnych systemach operacyjnych. Ponadto pakiet 6 GB wykonany przy użyciu nowych 12 Gb pamięci LPDDR4 można łatwo wpasować w to samo miejsce wykorzystywane do dostępnych obecnie pakietów 3 GB LPDDR4, co sprawi, że nowe urządzenia mobilne będą mogły być mniejsze i bardziej wydajne.
Poprzez rozszerzenie linii dużej pojemności pamięci opartych na 12 Gb LPDDR4 Samsung planuje wzmocnienie konkurencyjności swojego asortymentu produktów DRAM w klasie wykonania 20 nm (12 Gb / 8 Gb / 6 Gb / 4 Gb).
Samsung przewiduje, że pamięć LPDDR4 przeznaczona do urządzeń mobilnych, pozwoli w najbliższych latach zwiększyć obecność nie tylko w segmencie smartfonów i tabletów, ale również ultracienkich PC, segmencie motoryzacyjnym czy internecie rzeczy (IoT).
* Prędkość przetwarzania pamięci DRAM DDR4 komputera PC na pin wynosząca 2133 Mbps.
** Klasa wykonania 20 nm oznacza proces produkcyjny mieszczący się w przedziale od 20 do 30 nanometrów
źródło: Samsung Electronics
